EĞİTİM

	University of California Santa Barbara (UCSB) Masters + Ph.D. in Electronic Materials, Materials Department Tez: “Improved quality non-polar III-Nitride films and devices” (PDF)         “Geliştirilmiş kalitede nonpolar III-nitrür filimler ve cihazlar” Committee: Steve DenBaars, James Speck, Shuji Nakamura, Evelyn Hu, Chris Van de Walle Masters in Economics, Department of Economic        İş yönetimi üzerine Ekonomi mastırı Technology Management Certificate (GPMP), Department of Engineering         Teknoloji Yönetimi Sertifikası “Şirketler ve girişimcilik bağlamında yeni ürün geliştirme ve yeni iş açma” üzerine.
	University of Pittsburgh B. Sc. in Materials Science and Engineering, Materials Science and Engineering Department         Ortadoğu Teknik Üniversitesi (ODTÜ), Metalurji ve Malzeme Bilimi Mühendisliği bölümünden transfer oldu

ARAŞTIRMA

· MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) ile ince filim ve kristal büyütme

· Mikrofabrikasyon ve Cihaz İşleme: Nitrür bazlı cihazların işlenmesi:  photolithography, reactive ion etching (RIE), inductively coupled plasma etching (ICP), thin film deposition (PECVD, e-beam), RTA

· Karakterizasyon: Hall & TLM, PL, EL,  I-V, AFM, X-RAY Diffraction, SEM Measurement Techniques and Analysis, Q - dielectric factor measurements - Single Port Reflection Method with Network Analyzer

UCSB’de çalıştığı sürece Mitsubishi Chemical, SSLDC (Solid State Lighting and Display Center) ve JST-ERATO (Japan Science and Technology) projelerinde çalıştı ve finanse edildi.

· Amerikan Enerji Bakanlığı’nın 2020 yılına kadar 98 milyar dolarlık enerji tasarrufu sağlanması projesi kapsamında polarizasondan arınmış (non-polar) yarı-iletken III-Nitrürlerin malzeme özellikleri, kristal kalitesi geliştirilmesi ve cihaz performanslarının verimliliğinin arttırılması konusunda çalıştı. Bu uğurda;

· “Sidewall Lateral Epitaxial Overgrowth (SLEO)” ismini verdiği, kristal içerisindeki deformasyon ve dislokasyonların yoğunluklarını 10³-10⁴ kez indirgeyen yeni bir fabrikasyon ve büyütme tekniği geliştirdi.  Bu yeni teknik ile rapor edilmiş en düşük dislokasyon ve deformasyon yoğunluğunu düşük maliyet ve zahmetle elde etti ve uluslararası bir patent aldı.

·  m-yüzeyi denilen, (1-100) oriyentasyonlu kristal yüzeyi üzerinde MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) yöntemini kullanarak Dünya’da ilk kez cihaz yapma kalitesinde Nitrür bazlı malzemeler büyüttü.  Ve bu konuda uluslararası bir patent aldı.

· 360 nm UV dalga boyunda çalışan, GaN/AlGaN kuantum kuyucuklu aktif bölgeden oluşmuş, yüksek elektron hareketliliği ve rekor dahili kuantum verimliliği (internal quantum efficiency) olan a-yüzeyi üzerine büyütülmüş LED’ler yaptı.

· AlGaN/GaN kuantum kuyucuklarından oluşmuş LED yapılarının büyütülmesi, yapısal, elektriksel ve optik karaketizasyonu konusunda Amerikan Ordu Laboratuvarları (Army Research Labs) ile bir araştırma yürüttü.

PATENTLER

· U.S. patent # 20060270076

”Defect Reduction of Non-polar {11-20} a- and {1-100} m-plane GaN with Single-Step Sidewall Lateral Epitaxial Overgrowth (SLEO)”, Bilge Imer, James S. Speck, Steven P. DenBaars, submitted on March 30,2005 – granted on November 30, 2006.

· U.S. patent # 20060270087

 “Growth of non-polar (1-100) m-plane GaN with Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)”, Bilge Imer, James S. Speck, Steven P. DenBaars, submitted on March 30,2005 – granted on November 30, 2006.

YAYINLAR

A. HAKEMLİ YAYINLAR

I.     YAYINLANANLAR  (Agustos 2007 itibariyle toplam kaynak gösterilme 56)

1-”Structural and electrical characterization of a-plane GaN grown on a-plane SiC”, M. D. Craven, A. Chakraborty, B. Imer, F. Wu, S. Keller, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Phys. Stat. Sol. (c) 0, No. 7, 2132-2135, October 2003

2- Microstructural evolution of a-plane GaN grown on a-plane SiC by Metalorganic chemical vapor deposition”, M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Applied Physics Letters, Vol. 84, No.8, February 2004

3- ”Growth of thick (11-20) GaN using a metal interlayer”, P. R. Tavernier, B. Imer, S. P. DenBaars, and D. R. Clarke, Applied Physics Letters, Vol. 85, No. 20, November   2004

4- “Intensity Dependent Time-Resolved Photoluminescence Studies of GaN/AlGaN Multiple Quantum Wells of Varying Well Width on Laterally Overgrown a‑plane and Planar c-plane GaN “,(G. A. Garrett, H. Shen, W. Wraback) from U.S. Army Research Laboratory, Sensors and Electron Devices Directorate (B. Imer, B. Haskell, S. Keller, S. Nakamura, S. P.  DenBaars) from UCSB,  Physica Status Solidi (a), No. 5, 846 (2005)

5- “Polarized photoreflectance spectroscopy of strained A-plane GaN films on R-plane sapphire”, (Sandip Ghosh, Pranob Misra, and Holger T. Grahn) from Paul-Drude-Institut fur Festk¨orperelektronik, Berlin, Germany (Bilge Imer, Shuji Nakamura, S. P. DenBaars and J. S. Speck) from UCSB, J. of Appl. Phys.,98, 026105, July 2005

6- “High Quality Non-polar ( a-plane GaN with Sidewall Lateral Epitaxial Overgrowth (SLEO)”, Bilge Imer, James S. Speck, Steven P. DenBaars,  Applied Physics Letters, Vol. 88, Number 6-061908, February 2006